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功率半導體器件

SiC芯片及器件:

SiC SBD芯片及器件

簡介:

  • 具有高浪涌能力、正溫度系數(shù)、高耐壓等特點。

產(chǎn)品參數(shù):

反向重復峰值電壓(V) 1200-3300
正向電流(A) 10-50
運行結(jié)溫(℃) -40-150

應(yīng)用:

軌交、電網(wǎng)、光伏等。

SiC MOSFET芯片

簡介:

  • 中車第4代中低壓SiC MOSFET芯片,為溝槽柵結(jié)構(gòu),采用窄線寬技術(shù),柵氧電場屏蔽技術(shù),內(nèi)置柵極電阻。芯片具有低比導通電阻,高開關(guān)頻率,高可靠性,高魯棒性等特點;

  • 中車第3.5代中低壓SiC MOSFET芯片,為精細平面柵結(jié)構(gòu),采用高可靠性柵氧技術(shù),短溝道技術(shù),內(nèi)置柵極電阻。芯片具有低溫度系數(shù),高開關(guān)頻率,低開關(guān)損耗等特點;

  • 中車第2代高壓SiC MOSFET芯片,采用平面柵結(jié)構(gòu),高耐壓終端技術(shù),芯片內(nèi)置柵電阻;芯片具有低開關(guān)損耗,高工作頻率的特點。

產(chǎn)品參數(shù):

擊穿電壓(V) 750-3300
正向電流(A) 30-175
運行結(jié)溫(℃) -40-175

應(yīng)用:

高壓SiC MOSFET芯片適用于軌交領(lǐng)域。

中低壓SiC MOSFET適用于新能源汽車、充電樁、OBC等領(lǐng)域。

SiC器件和模塊

簡介:

  • 中車SiC模塊采用中車第3.5代精細平面柵SiC MOSFET,具有低開關(guān)損耗,高工作結(jié)溫,低導通電阻等特點,配合銀燒結(jié)、銅線鍵合等先進互連封裝工藝,產(chǎn)品具備足夠的魯棒性。涵蓋750V至3300V電壓范圍,適用于電動汽車及軌道交通領(lǐng)域。

產(chǎn)品參數(shù):

額定電壓(V) 750-3300
額定電流(A) 40-1000
工作結(jié)溫(℃) 150-200

應(yīng)用:

軌交、電網(wǎng)、新能源汽車主驅(qū)、OBC、充電樁。